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7分钟前 合肥工业四氟化碳厂家承诺守信「安徽谱纯」[安徽谱纯eb5bb41]内容:四氟化碳物理性质 :
熔点-183.6℃,
分子式是CF4,
沸点-128.1℃,
液体密度(-130℃)1.613g/cm3,
液体折光率(-173℃)1.515,
固体转变点72.2K,
临界温度-45.67℃,
临界压力3.73MPa,
蒸气压(-150.7℃)13.33kPa
介电常数(25℃,0.5MPa)1.0006
临界密度:7.1dm3/mol
标准摩尔自由能:-929.84 kJ/mol
标准摩尔生成自由能:-887.41 kJ/mol
危险性类别:第2.2类不燃气体
高纯四氟化碳主要用于集成电路、半导体的等离子刻蚀领域,可用来蚀刻硅、二氧化硅、氮化硅等硅材料,是用量大的等离子蚀刻气体。此外,高纯四氟化碳还可用于印刷电路板清洁、电子元器件清洗、太阳能电池生产等领域。四氟化碳用于各种集成电路的等离子刻蚀工艺,也用作激光气体,用于低温制冷剂、溶剂、润滑剂、绝缘材料、红外检波管的冷却剂。四氟化碳用作低温制冷剂及集成电路的等离子干法蚀刻技术。生成气体通过液氮冷却的镍制捕集器冷凝,然后慢慢地气化后,随后通过硅胶干燥塔得到产品。
四氟化碳贮存注意事项:气瓶使用和检验遵照《气瓶安全监察规程》的规定。气瓶内的气体不能全部用尽,应该留不小于0.04MPa剩余压力。四氟化碳对于硅和二氧化硅体系,采用CF4-H2反应离子刻蚀时,通过调节两种气体的比例,可以获得45:1的选择性,这在刻蚀多晶硅栅极上的二氧化硅薄膜时很有用。四氟化碳是当前微电子工业中应用量高的等离子体蚀刻气体,被广泛应用在硅、氮化硅、磷硅玻璃等薄膜材料的蚀刻。除此之外,四氟化碳还能在电子电器表面清洗、激光、低温制冷、太阳能电池等领域有着应用。